澳门新莆京游戏大厅通过电路符号认知N沟道和P沟道MOSFET的工作原理

  新闻资讯     |      2023-11-24 02:56

  澳门新莆京游戏大厅通过电路符号认知N沟道和P沟道MOSFET的工作原理还是经验丰富的老工程师,多数情况下还真不能完全正确的把这个器件的原理符号画出来,甚至画的五花八门。

  但是想想也很简单,因为器件的原理符号在一定程度上代表着其工作原理,只要理解简单原理就很容易画出来,并且不会出现错误,这里我总结了3点,希望对大家有所帮助。

  1、对于增强型N沟道和P沟道MOSFET:从沟道线(虚线)、电子运动方向箭头,门极电压去理解即可,其中前两项最容易混淆。以下文字描述较多但很简单,图片也已标明了要点。

  (1)虚线:代表导电沟道澳门太阳游戏网站,同时也表示在门极不加电压的情况下,导电沟道是断开状态,器件不导通,器件是常闭状态,虚线的含义就是表示断开。

  (2)向内的箭头:表示了加上栅极电压后沟道中电子运动方向,电子向内被吸引,从而沟道被电子填充形成电子型导电沟道-N沟道。

  (3)VGS电压:栅极G-源极S施加大于开通阈值的正电压,正电压的电场力吸引电子,排斥空穴,从而让源极S填充电子,形成D-S的电子导电沟道

澳门新莆京游戏大厅通过电路符号认知N沟道和P沟道MOSFET的工作原理(图1)

  (1)虚线:代表导电沟道澳门第一娱乐娱城官网,同时也表示在门极不加电压的情况下,导电沟道是断开状态,器件不导通,器件是常闭状态,虚线的含义就是表示断开。

  (2)向外的箭头:表示了加上栅极电压后沟道中电子运动方向,电子向外被排斥运动,空穴被吸引至沟道,从而沟道被空穴填形成空穴型导电沟道-P沟道。

  (3)VSG电压:源极S-栅极G施加大于开通阈值的正电压,正电压的电场力吸引空穴,排斥电子,从而让源极S填充空穴澳门娱乐网址,形成S-D的空穴导电沟道

澳门新莆京游戏大厅通过电路符号认知N沟道和P沟道MOSFET的工作原理(图2)

  2、对于耗尽型沟道的MOSFET,区别在于沟道线是实线澳门第一娱乐娱城官网,表示在门极不加电压的情况下,导电沟道已经形成,器件是常开状态,实线的含义就是表示闭合。