电子技术基础(电子书) 为保证PN结正常工作。它的工作温度不能 太高澳门太阳游戏网站，温度的限制与掺杂浓度有关，掺杂越 大，最高工作温度越高 三 PN结的击穿 当PN结处于反向偏置时,在一定范围内的反 向电压作用下,流过PN结的电流是很小的反向 饱和电流,但当反向电压超过某一数值后,反

　　在一块硅片上，用不同的掺杂工艺。使其 一边形成N型半导体澳门太阳游戏网站。另一边形成P型 半导体 则在其交界面附近形成了PN结澳门娱乐娱城官网。 一 PN结的形成

　　1、本周五确定座位表,以后每位同学按自 己的座位入坐,若座位无人按缺席处理,缺 席一次平时成绩扣一分澳门娱乐网址，缺席过多按校规 处理。如有重课请尽早到学院办理重课单澳门太阳游戏网站澳门第一娱乐娱城官网。 2、每周三交作业本澳门第一娱乐娱城官网，缺交或所做的作业量 小于应做作业量的50%的澳门新莆京游戏大厅、有明显作业抄袭 的则平时成绩扣一分。 3澳门新莆京游戏大厅、每周三课后答疑。

　　正向：当电压加到UD(ON)以上，才有明显 正向电流。 UD(ON)称死区（导通）电压 反向：电流很小

　　由于杂质原子提供自由电子---称 施主原子 N型杂质半导体中电子浓度比同一ห้องสมุดไป่ตู้度下 本征半导体的电子浓度大得多

　　把两个PN结做在一起,这两个互有影响的PN结构成 的半导体器件 称 晶体管 它有三个引出电极习惯 又称 晶体三极管

　　二极管交直流电阻都与工作点有关 且同一点的交、直流电阻也不相同 可见 二极管的交、直流电阻是两个不同

　　∴ 当N与P区杂 质耗浓尽度层相在同两时个，区内的宽度也P相图N结1等-8 —不对称对PN称结结PN＋结 否则杂质浓度较高的一侧耗尽层宽度 小于低的一侧——不对称结

　　在外电场的作用下，PN结的平衡状态 被打破澳门太阳游戏网站，使P区中的空穴和N区中的电子 都向PN结移动，使耗尽层变窄

　　使 漂移（少子） 扩散（多子） ∴回路中的反向 电流 I’非常微弱 一般Si 为nA 级

　　复合 运动中的自由电子如果“跳进” 空穴.重新被共价键束缚起来, 电子空穴对消失 称复合 复合在一定温度下,

　　反向电流不仅很小，而且当外加电压 超过零点几伏后， ∵ 少子供应有限， 它基本不随外加电压的增加而增加。 ∴ 称为反向饱和电流

　　了解器件的内部工作原理 掌握器件的应用特性（外特性） 掌握各单元电路的工作原理及分析方法 掌握实际技能及各种测试方法

　　在绝对零度(-273.16)时晶体中没有自由电子, 所有价电子都被束缚在共价键中. 所以 半导体不能导电

　　电子—空穴对 当T 或光线照射下,少数价电子因热激发而获得 足够的能量挣脱共价键的束缚 ,成为自由电子.